特許

J-GLOBAL ID：200903069658067821

セラミックモジュールおよびその製造方法

発明者： 内山 一郎 ,  寺尾 公一
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 広瀬 章一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-219573
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043481
出願日： 2000年07月19日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：

【要約】【課題】 セラミック基板4の片面に銅配線1、反対側の面に銅放熱板5が接合材2により接合されている、パワーデバイスの搭載に適したセラミックモジュールを、放熱性能と接合部の信頼性を両立させつつ、安価に製造する。【解決手段】 ?@酸化マグネシウム、?A酸化マグネシウムスピネル、ならびに?B酸化マグネシウム、酸化マグネシウムスピネルおよび酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも2種類から成る複合材料、のいずれかを主成分とするセラミック基板4の表面に、タングステンまたはモリブデンを主成分とするメタライズ層3を、基板との同時焼成法により形成し、このメタライズ層に、はんだ、ろう材および樹脂から選ばれる熱伝導率1 W/m・K 以上の接合材2を介して、銅配線1または銅放熱板5を接合する。

請求項（抜粋）：

セラミック基板の少なくとも一方の表面に、銅を主成分とする配線および/または放熱板が接合されたセラミックモジュールであって、前記セラミック基板が、?@酸化マグネシウム、?A酸化マグネシウムスピネル、ならびに?B酸化マグネシウム、酸化マグネシウムスピネルおよび酸化アルミニウムから選ばれる少なくとも2種類から成る複合材料、のいずれかを主成分とするものであり、このセラミック基板の前記少なくとも一方の表面に、このセラミック基板と前記銅を主成分とする配線および/または放熱板のいずれよりも熱膨張係数が小さい材料からなるメタライズ層が形成されており、このメタライズ層に、はんだ、ろう材および樹脂から選ばれる熱伝導率1 W/m・K 以上の接合材を介して、前記銅を主成分とする配線および/または放熱板が接合されている、ことを特徴とするセラミックモジュール。

IPC (6件)：

H01L 23/373 ,  C04B 37/02 ,  H01L 23/12 ,  H01L 23/15 ,  H01L 23/14 ,  H01L 23/36

FI (6件)：

C04B 37/02 A ,  H01L 23/36 M ,  H01L 23/12 J ,  H01L 23/14 C ,  H01L 23/14 M ,  H01L 23/36 C

Fターム (14件)：

4G026BA02 ,  4G026BA03 ,  4G026BB22 ,  4G026BF13 ,  4G026BF14 ,  4G026BF36 ,  4G026BG05 ,  4G026BG27 ,  4G026BH06 ,  5F036AA01 ,  5F036BB01 ,  5F036BB08 ,  5F036BB18 ,  5F036BD13