特許
J-GLOBAL ID：200903069665843993
化合物単結晶の製造方法及び製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安田 敏雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-121456
公開番号（公開出願番号）：特開平7-330479
出願日： 1994年06月02日
公開日（公表日）： 1995年12月19日
要約：
【要約】【目的】 ヒータへの高解離圧成分の付着を防止することができるVGF法やVB法による化合物単結晶の製造方法及びその好適な製造装置を提供する。【構成】 高圧容器1内に設けられた集合ヒータ15内に均圧通路36を有する気密チャンバー32を設け、気密チャンバー32内に設置されたルツボ38内の原料融液の高解離圧成分の解離圧と平衡する高解離圧成分の蒸気圧を気密チャンバー32内に発生させ、高圧ガス雰囲気下で融点温度域をルツボ38の下方から上方へ相対移動させることによりルツボ38内の原料融液52を下方から冷却固化して単結晶51を成長させる。前記均圧通路36を高解離圧成分の蒸発用ヒータエレメント14Aの下方に形成し、蒸発用ヒータエレメント14Aの加熱温度を他のヒータエレメント14の加熱温度の内の最低温度以下とする。
請求項（抜粋）：
高圧容器内にヒータエレメントが上下方向に複数段列設された集合ヒータを設け、該集合ヒータ内にチャンバーの内外に連通する均圧通路を有する気密チャンバーを設け、該気密チャンバー内に化合物原料を収容するルツボを配置し、前記ヒータエレメントにより上方から下方に渡り化合物の融点を挟んで高温から低温に推移する温度分布を形成し、気密チャンバー内に設けた原料の高解離圧成分を蒸発用ヒータエレメントにより加熱してルツボ内の原料融液の高解離圧成分の解離圧と平衡する蒸気圧を気密チャンバー内に発生させ、高解離圧成分の蒸気を含んだ高圧ガス雰囲気下で前記温度分布の融点温度域をルツボの下方から上方へ相対移動させることによりルツボ内の原料融液を下方から冷却固化して単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法において、前記均圧通路を前記蒸発用ヒータエレメントの下方に形成し、前記蒸発用ヒータエレメントの加熱温度を他のヒータエレメントの加熱温度の内の最低温度以下として高解離圧成分を加熱蒸発する化合物単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 11/00
, C30B 29/48
, H01L 21/203
