特許
J-GLOBAL ID：200903069666654523
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-242235
公開番号（公開出願番号）：特開平8-083869
出願日： 1994年09月09日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 封止樹脂に気泡が発生せずしかもごみの付着、傷付きが発生しない半導体装置およびその製造方法を提供すること。【構成】 この半導体装置1は、半導体素子10およびボンディングワイヤー3を覆う封止樹脂4を、一の硬度から成り少なくとも光学素子部11の上方に設けられる第1封止樹脂41と、一の硬度よりも低い他の硬度から成り第1封止樹脂41以外の部分に設けられる第2封止樹脂42とから構成する。また半導体素子10を実装した後、光学素子部11の上方に配置した第1ノズルから第1封止樹脂41を滴下すると同時に、第1ノズルに隣接配置した第2ノズルから第2封止樹脂42を滴下する半導体装置1の製造方法である。
請求項（抜粋）：
上面に光学素子面を備えた半導体素子と、該半導体素子を実装するための基台と、該光学素子面を除く半導体素子と該基台に設けられた導体部分とを電気的に配線するボンディングワイヤーと、該半導体素子および該ボンディングワイヤーを覆う封止樹脂とを備えている半導体装置であって、前記封止樹脂は、一の硬度から成り少なくとも前記光学素子面の上方に設けられる第1封止樹脂と、前記一の硬度よりも低い他の硬度から成り前記第1封止樹脂以外の部分に設けられる第2封止樹脂とから成ることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 23/28
, H01L 21/56
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 33/00
