特許
J-GLOBAL ID：200903069667018906
半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-001382
公開番号（公開出願番号）：特開平10-200207
出願日： 1997年01月08日
公開日（公表日）： 1998年07月31日
要約：
【要約】【課題】 活性層としてヘテロ界面にV族切替が含まれかつAlを含む混晶層を有する量子井戸構造を用いた半導体レーザを製造する場合において、ヘテロ界面でのV族元素の相互拡散を抑制して急峻な界面をなし、かつAlを含む混晶の良好な結晶性を実現する。【解決手段】 量子井戸構造(多重量子井戸活性層4)をなすバリア層9及び量子井戸層8の少なくとも一方がAlを含む混晶層で形成された半導体レーザの製造方法において、バリア層9と量子井戸層8との間の良好なヘテロ界面が得られる程度の低基板温度で、Alを含む混晶層の結晶成長を実行し(工程(a))、その後、結晶成長が行われた基板10に対してラピッド・サーマル・アニーリング(RTA)を実施する(工程(b))。
請求項（抜粋）：
基板上に、バリア層及び量子井戸層を積層した量子井戸構造を活性層として有し、前記バリア層と前記量子井戸層とがV族元素として相互に異なる元素を用いた混晶層によって形成され、かつ前記バリア層及び前記量子井戸層の少なくとも一方がAlを含む混晶層で形成された半導体レーザの製造方法において、前記バリア層と前記量子井戸層との間の良好なヘテロ界面が得られる程度の低基板温度で、前記Alを含む混晶層の結晶成長を実行し、その後、前記結晶成長が行われた基板に対してラピッド・サーマル・アニーリングを実施することを特徴とする、半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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