特許
J-GLOBAL ID：200903069669987213

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
小山 順一郎

小山 順一郎 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-349162
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190040
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 高比抵抗FZ拡散シリコンウエハを用いる必要がある半導体装置において、高温熱処理による酸素ドナー準位の増加により比抵抗の低下が大きく、特に高速応答PINフォトダイオードを得ることができなかった。【解決手段】 FZ法により製造された高比抵抗シリコンウエハを基板とする半導体装置の製造方法であり、不純物をプレデポジションする工程、酸素を含まない雰囲気中で且つ1000°C〜1200°Cの温度でドライブインする工程、最終熱処理温度として400°C未満の温度で電極を形成する工程を含むことを特徴とするものである。
請求項（抜粋）：
FZ法により製造された高比抵抗シリコンウエハを基板とする半導体装置の製造方法において、不純物をプレデポジションする工程、酸素を含まない雰囲気中で且つ1000°C〜1200°Cの温度でドライブインする工程、最終熱処理温度として400°C未満の温度で電極を形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 31/10 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/324
FI (4件)：
H01L 31/10 A ,  H01L 21/22 P ,  H01L 21/28 301 L ,  H01L 21/324 X
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 特開平3-120875
  • 特開平3-150876
  • 特開平4-251987
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