特許

J-GLOBAL ID：200903069669995038

誘電体膜の形成法

発明者： 室谷 正彰 ,  中川 治信 ,  塩見 繁 ,  内田 文生
出願人/特許権者： 富士化学株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-278179
公開番号（公開出願番号）：特開平7-126854
出願日： 1993年11月08日
公開日（公表日）： 1995年05月16日
要約：

【要約】【目的】800°C以下の低温焼成により誘電体膜の形成を可能にする方法を提供することを主な目的とする。【構成】誘電体膜の形成法において、(1)誘電体膜を構成する金属元素を含有する有機化合物であって、Ba、Sr及びPbを金属成分とする有機化合物の少なくとも1種とTi及びZrを金属成分とする有機化合物の少なくとも1種、(2)配位原子として酸素を有する有機化合物の少なくとも1種、(3)有機高分子化合物の少なくとも1種とロジン、及び(4)有機溶媒の少なくとも1種を含む有機金属組成物を炭酸ガスフリーのガス雰囲気下で350〜450°Cで仮焼成した後、550〜800°Cで本焼成することを特徴とする誘電体膜の形成法。

請求項（抜粋）：

誘電体膜の形成法において、(1)誘電体膜を構成する金属元素を含有する有機化合物であって、Ba、Sr及びPbを金属成分とする有機化合物の少なくとも1種とTi及びZrを金属成分とする有機化合物の少なくとも1種、(2)配位原子として酸素を有する有機化合物の少なくとも1種、(3)有機高分子化合物の少なくとも1種とロジン、及び(4)有機溶媒の少なくとも1種を含む有機金属組成物を炭酸ガスフリーのガス雰囲気下で350〜450°Cで仮焼成した後、550〜800°Cで本焼成することを特徴とする誘電体膜の形成法。

IPC (2件)：

C23C 18/12 ,  G03C 1/735