特許

J-GLOBAL ID：200903069671666998

太陽電池の製造方法

発明者： 花房 彰 ,  熊澤 誠二
出願人/特許権者： 松下電池工業株式会社
代理人 (1件)： 石井 和郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188107
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015777
出願日： 1999年07月01日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】 低コストで高効率の化合物半導体薄膜太陽電池の製造方法を提供すること。【解決手段】 透光性基板、前記透光性基板上に形成された透明導電膜、前記透明導電膜上に形成されたn型半導体膜、および前記n型半導体膜上に形成されたp型半導体膜を含む太陽電池の製造方法であって、前記透明導電膜、n型半導体膜および/またはp型半導体膜上に形成され、かつ所定のパターンを有する保護膜を、回転ブラシにより除去する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

請求項（抜粋）：

透光性基板、前記透光性基板上に形成された透明導電膜、前記透明導電膜上に形成されたn型半導体膜、および前記n型半導体膜上に形成されたp型半導体膜を含む太陽電池の製造方法であって、前記透明導電膜、n型半導体膜および/またはp型半導体膜上に形成され、かつ所定のパターンを有する保護膜を、回転ブラシにより除去する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。

Fターム (6件)：

5F051AA09 ,  5F051BA14 ,  5F051CB30 ,  5F051EA18 ,  5F051FA02 ,  5F051HA20