特許

J-GLOBAL ID：200903069682821111

半導体素子及びその製造方法

発明者： 笹 沼 克 信 ,  ジョン レニー ,  斎 藤 真 司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-229082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058919
出願日： 1998年08月13日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】 GaNなどの各種のIII-V族化合物半導体において、含有する水素の濃度を低減し、インジウムやガリウムなどのIII族元素や、窒素などのV族元素の欠損を低減し、高いキャリア密度を有し、p側電極との間で低い接触抵抗を有し、高信頼性を持つ半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 MOCVD法などの方法により作製されたIII-V族化合物半導体の表面にフッ素化合物を設け、その後熱処理を施すことによって水素濃度の低減と窒素などの欠損の防止を同時に達成する。また、III-V族化合物半導体の表面にフッ素化合物を設け、レーザ、マイクロ波または電子線を照射し、または、半導体の表面にパラジウムなどの水素吸蔵金属層を形成し、電界を印加しつつ熱処理を施すことにより、水素濃度の低減と窒素等の欠損の防止を同時に達成する。

請求項（抜粋）：

III-V族化合物半導体層と、前記化合物半導体層の上に設けられたフッ素化合物層と、前記フッ素化合物層の上に設けられた電極と、を備えたことを特徴とする半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/30

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

Fターム (21件)：

5F041AA21 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA77 ,  5F041CA99 ,  5F073AA45 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA16 ,  5F073DA17 ,  5F073DA30 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29