特許

J-GLOBAL ID：200903069700206217

化合物半導体装置

発明者： 斎藤 吉広
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020064
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218016
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、膜剥がれ等の欠陥が生じない耐湿性に優れた表面保護膜を有する化合物半導体装置を得ることを目的とする。【構成】 下地絶縁膜(1)上の所定部分には、Au配線層(2)が形成され、各素子の配線がなされている。このAu配線(2)を含む下地絶縁膜(1)上にはSiON層(3)が積層されており、このSiON層(3)のストレスの値は2×109 dyn/cm2 であり、屈折率は1.95である。上述の特性を有する表面保護膜では、クラックの発生が抑えられ、しかも優れた耐湿性及び低アルカリイオン透過性を実現することができる。

請求項（抜粋）：

配線金属に金が用いられている化合物半導体装置において、その表面保護膜はシリコンオキシナイトライド層からなり、前記シリコンオキシナイトライド層は、基板に対する応力の絶対値が2×109 dyn/cm2 以下であり、屈折率が1.95以上であることを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/90