特許

J-GLOBAL ID：200903069700979020

半導体レーザ・アレイ装置及びその作製方法

発明者： 黒水 勇一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-223828
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037324
出願日： 2001年07月25日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】 半導体レーザ・アレイ装置を構成する各半導体レーザ素子の発光点の高さがサブマウントの接合面に対して同じようになるような構成を備えた半導体レーザ・アレイ装置を提供する。【解決手段】 本半導体レーザ・アレイ装置50は、半田層22を介してサブマウント18上に接合してなる半導体レーザ・アレイ本体16を有し、半田層中にスペーサボール52が分散配置されていることを除いて、従来の半導体レーザ・アレイ装置10と同じ構成である。本装置では、半田より融点が高く、かつ半田層の所定厚さと同じ直径の3個以上のSiO2 又はAl2 O3 製のスペーサボールが、半田層内に分散して配置され、それぞれが、アレイ本体の下面とサブマウントの接合面とに接触している。アレイ本体とサブマウントとの接合に際して、半田層は、厚さがスペーサボールにより規制され、アレイ本体をサブマウントに対して押圧した際、従来のように、半田層の半田が移動してサブマウントの接合面の周辺に偏在し、アレイ本体が変形するようなことが生じない。

請求項（抜粋）：

それぞれ、レーザ発光領域を有するレーザ構造を半導体基板上に備えた複数個の半導体レーザ素子をアレイ状に配置した半導体レーザ・アレイ本体をサブマウントの接合面上に、接合材層を介して、接合してなる半導体レーザ・アレイ装置において、接合材より融点が高く、かつ相互に同じ形状、同じ寸法の3個以上のスペーサ部材が、接合材層内に分散して配置され、それぞれが、半導体レーザ・アレイ本体の下面とサブマウントの接合面とに接触していることを特徴とする半導体レーザ・アレイ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/22 610

FI (2件)：

H01S 5/022 ,  H01S 5/22 610

Fターム (4件)：

5F073AB04 ,  5F073FA15 ,  5F073FA16 ,  5F073FA22