特許
J-GLOBAL ID：200903069707612970
半導体製造装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-209915
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078500
出願日： 1994年09月02日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 空気中に浮遊するパーティクルの基板への付着を防止するとともに、基板に帯電した電荷を除電することができる半導体製造装置及びそれを用いた半導体装置の製造方法をを提供する。【構成】 基板1を収納するためのカセット6と、基板1を載置しカセット6の挿入部から挿入するためのフォーク2と、カセット6の挿入部の反対側の基板支持部61の外側周辺部にイオンを発生するイオン発生器5とを備えたローダまたはアンローダ部を有する半導体製造装置である。
請求項（抜粋）：
基板を収納し上記基板の端部を支持するための基板支持部を有するカセットと、上記基板を載置し上記カセットの挿入部から挿入するためのフォークと、上記カセットの挿入部以外の上記基板支持部の外側周辺部に少なくとも1個のイオンを発生するイオン発生器とを備えたローダまたはアンローダ部を有することを特徴とする半導体製造装置。
IPC (4件)：
H01L 21/68
, H01L 21/027
, H01T 23/00
, H05F 3/04
