多孔質膜形成用組成物、多孔質膜の製造方法、多孔質膜、層間絶縁膜、及び半導体装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：奥山尚一 , 有原幸一 , 松島鉄男 , 河村英文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-087066
公開番号（公開出願番号）：特開2004-292641
出願日： 2003年03月27日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】通常の半導体プロセスに用いられる方法によって、容易に、任意に制御された膜厚の薄膜が形成可能であり、優れた誘電特性及び機械的特性有する多孔質膜形成用塗布液を提供する。【解決手段】一般式(X2O)i(SiO2)j(H2O)kで示されるケイ酸化合物、一般式(X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)cで示されるオルガノケイ酸化合物の中から選ばれた少なくとも1種類以上の化合物を酸の存在下で縮合して得られる縮合物を含有する塗布液で、半導体製造プロセスに適用可能な機械的強度及び誘電特性をもつ多孔質絶縁膜の製造が可能になった。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式(1)で示されるケイ酸化合物と、 (X2O)i(SiO2)j(H2O)k ・・・(1) (式中、Xは独立してLi、Na、K、Rb、Cs又は四級窒素オニウムを表し、iとjとkは、独立して0<i≦1、0<j≦1、0≦k≦2を満たす数である。) 一般式(2)で示されるオルガノケイ酸化合物と (X2O)a(RSiO1.5)b(H2O)c ・・・(2) (式中、Rは独立して水素原子又は有機基を表し、Xは独立してLi、Na、K、Rb、Cs又は四級窒素オニウムを表し、aとbとcは、独立して0<a≦1、0<b≦1、0≦c≦1.5を満たす数である。) の中から選ばれた少なくとも1種類の化合物を酸の存在下で縮合して得られる縮合物及び有機溶媒を含有することを特徴とする多孔質膜形成用組成物。

IPC (7件)：

C09D183/04 , C08G77/04 , C08L83/04 , C09D5/25 , C09D183/02 , H01L21/312 , H01L21/316

FI (7件)：

C09D183/04 , C08G77/04 , C08L83/04 , C09D5/25 , C09D183/02 , H01L21/312 C , H01L21/316 G

Fターム (57件)：

4J002CP031 , 4J002GQ01 , 4J002HA08 , 4J038DL021 , 4J038DL031 , 4J038DL041 , 4J038DL061 , 4J038DL081 , 4J038KA04 , 4J038MA08 , 4J038MA10 , 4J038NA01 , 4J038NA07 , 4J038NA08 , 4J038NA12 , 4J038NA20 , 4J038NA21 , 4J038NA22 , 4J038PB09 , 4J038PB11 , 4J038PC02 , 4J246AA03 , 4J246AB11 , 4J246BA120 , 4J246BB02X , 4J246BB020 , 4J246CA230 , 4J246CA24X , 4J246CA240 , 4J246CA340 , 4J246CA400 , 4J246FA011 , 4J246FB272 , 4J246GB01 , 4J246GB04 , 4J246GC02 , 4J246GC53 , 4J246GD08 , 4J246HA22 , 4J246HA63 , 5F058AA08 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AC04 , 5F058AD05 , 5F058AD10 , 5F058AF04 , 5F058AG01 , 5F058AH02 , 5F058BA09 , 5F058BA10 , 5F058BA20 , 5F058BC05 , 5F058BD07 , 5F058BF46 , 5F058BH04 , 5F058BJ02

引用特許：

審査官引用 (2件)

膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-360178 出願人：ジェイエスアール株式会社
膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-206163 出願人：ジェイエスアール株式会社

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