特許
J-GLOBAL ID:200903069710894952

アモルファスシリコン系薄膜光電変換装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-201791
公開番号(公開出願番号):特開2001-036103
出願日: 1999年07月15日
公開日(公表日): 2001年02月09日
要約:
【要約】【課題】 良好な初期特性を発揮するとともに、劣化が抑制された安定なアモルファスシリコン系薄膜光電変換装置を提供する。【解決手段】 ガラス基板10上に、透明電極20、アモルファスシリコン半導体層30および裏面電極40を順次形成したアモルファスシリコン系薄膜光電変換装置において、ガラス基板10が、波長700nmの光の透過率が88〜90%、波長800nmの光の透過率が84〜87%である。
請求項(抜粋):
ガラス基板上に、透明電極、アモルファスシリコン系半導体を含む半導体層および裏面電極を順次形成したアモルファスシリコン系薄膜光電変換装置において、前記ガラス基板は、波長700nmの光の透過率が88〜90%、波長800nmの光の透過率が84〜87%であることを特徴とするアモルファスシリコン系薄膜光電変換装置。
Fターム (10件):
5F051AA05 ,  5F051BA17 ,  5F051FA02 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA06 ,  5F051FA19 ,  5F051FA23 ,  5F051GA03 ,  5F051GA20
引用特許:
審査官引用 (2件)

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