特許
J-GLOBAL ID：200903069711014816
酸化チタン膜の成膜方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-145769
公開番号（公開出願番号）：特開2002-343783
出願日： 2001年05月16日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】液体原料で半導体用酸化チタン薄膜を製造する方法の生産性向上させる。【解決手段】成膜を行う気相化学反応装置1の真空容器5の内壁及びシャワーヘッド2のウェハ4と対向する面の状態が変化しないため、成膜のプロセスの再現性を維持できる。そのため成膜のプロセスが変動しないため、装置を停止する必要が無くなるため装置の生産性が向上する。
請求項（抜粋）：
真空容器内に配置され、加熱されたシリコン基板上に液体原料を気化した成膜原料を供給し、酸化チタン薄を成膜する方法において、成膜中に真空容器壁面温度および真空容器内に気化された液体原料をシリコン基板上に供給する供給手段のシリコン基板と対向する部分の温度を成膜用液体原料が気化する温度以上かつ膜が堆積する温度未満となるように温度制御し、真空容器壁面への膜の堆積を監視して成膜を行うことを特徴とする半導体の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/31 B
, C23C 16/40
4K030AA11
, 4K030AA18
, 4K030BA46
, 4K030CA04
, 4K030EA01
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030JA10
, 4K030LA15
, 5F045AA03
, 5F045AB31
, 5F045AC15
, 5F045BB08
, 5F045DP03
, 5F045EB08
, 5F045EE02
, 5F045EF05
, 5F045EK09
, 5F045EN04
, 5F045GB05
