特許

J-GLOBAL ID：200903069715898158

半導体集積回路

発明者： 奴賀 謙治
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 高矢 諭 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-035200
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236065
出願日： 1999年02月15日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路の回路スペースを効果的に利用しながら、集積回路のレイアウト設計者が改めて作り込む箇所を指定することなく、ESD保護回路に使用する保護バイパス素子を大きく作り込むようにして、レイアウト設計者の労力を要することなくESD耐性を向上する。【解決手段】 コア領域3とIO領域4との間の、符号10a〜10cや、符号14、16で示される範囲のコア外周領域に、ESD保護回路に使用する保護バイパス素子を設ける。該コア外周領域は、もともと存在するので、集積度を低下せずに、大きな保護バイパス素子を設けることができる。

請求項（抜粋）：

所望の回路を作り込んだコア領域の周囲に、外部に対する信号を入出力したり、外部から電源を取り入れる際に用いる複数のセルを作り込むIO領域を設けたレイアウトの半導体集積回路チップを有する半導体集積回路において、前記コア領域と前記IO領域との間のコア外周領域に、ESD保護回路に使用する保護バイパス素子を設けるようにしたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/82

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 21/82 P

Fターム (10件)：

5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038EZ20 ,  5F064CC09 ,  5F064DD10 ,  5F064DD12 ,  5F064DD14 ,  5F064DD32