フェイスアップ式めっき装置及びその運転方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-331147
公開番号（公開出願番号）：特開2003-129286
出願日： 2001年10月29日
公開日（公表日）： 2003年05月08日
要約：

【要約】【課題】半導体ウェハ等に銅膜等をめっき処理するに際し、被処理体上の凹部の埋め込み性に優れ、成膜速度を向上でき、しかも、めっき膜中のボイド発生及び表面荒れを防止めっき方法を提供する。【解決手段】電界めっき装置100は、半導体ウェハWがその被成膜面Waを上にした状態で底壁として設置された液槽12に、めっき液22,23を供給するめっき液供給系51,52が接続され、その半導体ウェハWと対向するように銅板14が配置されたものである。この装置100においては、まず、液槽12に促進剤及び抑制剤を含むめっき液22を供給して被成膜面Waに形成されたホールH内部のボトムアップ・フィルを行う。次いで、平坦化剤を含むめっき液23によりめっき電流を増大させた状態でホールH上のフィールド成膜を行う。

請求項（抜粋）：

被処理体が該被処理体の被成膜面を上向きにして配置され、めっき液が貯留される液槽と、前記液槽内において前記被処理体に対して平行又は略平行に対向配置される板状の成膜材料源と、前記成膜材料源を保持する保持手段と、前記成膜材料源をアノードとし且つ前記液槽内に設置された被処理体の被成膜面をカソードとする電源手段と、前記液槽に前記めっき液として促進剤及び抑制剤を含み且つ平坦化剤を含まない第1のめっき液を供給する第1めっき液供給部と、前記液槽に前記めっき液として平坦化剤を含む第2のめっき液を供給する第2めっき液供給部と、を備えるフェイスアップ式めっき装置。

IPC (5件)：

C25D 7/12 , C25D 17/06 , C25D 17/12 , C25D 19/00 , H01L 21/288

FI (5件)：

C25D 7/12 , C25D 17/06 C , C25D 17/12 C , C25D 19/00 B , H01L 21/288 E

Fターム (16件)：

4K024AA09 , 4K024AB01 , 4K024BA15 , 4K024BB12 , 4K024CB02 , 4K024CB08 , 4M104BB04 , 4M104BB17 , 4M104DD33 , 4M104DD43 , 4M104DD52 , 4M104FF17 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104HH12 , 4M104HH20

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