特許

J-GLOBAL ID：200903069716938951

FET増幅器

発明者： 榊 伸一
出願人/特許権者： 日本電気エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： ▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269618
公開番号（公開出願番号）：特開2003-078358
出願日： 2001年09月06日
公開日（公表日）： 2003年03月14日
要約：

【要約】【課題】 より有効にFETの利得の温度変動を補償することができるFET増幅器を得る。【解決手段】 ドレインバイアス抵抗の代わりに、FET6のドレイン電極と正電圧供給端子10との間にn(nは正の整数)個の直列接続されたシリコンダイオードX1〜Xnを挿入する。シリコンダイオードX1〜Xnの各順方向電圧の温度変動のみを利用して、FETのドレイン電圧及びドレイン電流を可変することにより、FETの利得の温度変動を補償する。ドレインバイアス抵抗を用いる場合と異なり、ドレイン電流の変化に依存してドレイン電圧が変化してしまうことを抑えることができるので、FETの利得の補償量に制限がかかることを抑えることができる。

請求項（抜粋）：

FETと、周囲温度による前記FETの利得の変動を補償すべく、前記周囲温度に応じて前記FETのドレイン電圧を変化せしめ、かつ、前記ドレイン電圧の変化に起因した前記FETのドレイン電流の変化により生ずる前記ドレイン電圧の変化を抑える温度補償手段とを含むことを特徴とするFET増幅器。

IPC (2件)：

H03F 1/30 ,  H03F 3/193

FI (2件)：

H03F 1/30 A ,  H03F 3/193

Fターム (37件)：

5J090AA01 ,  5J090CA02 ,  5J090FA20 ,  5J090FN01 ,  5J090HA09 ,  5J090HA19 ,  5J090HA25 ,  5J090HA32 ,  5J090HA43 ,  5J090KA29 ,  5J090TA02 ,  5J090TA04 ,  5J092AA01 ,  5J092CA02 ,  5J092FA20 ,  5J092HA09 ,  5J092HA19 ,  5J092HA25 ,  5J092HA32 ,  5J092HA43 ,  5J092KA29 ,  5J092TA02 ,  5J092TA04 ,  5J092VL08 ,  5J500AA01 ,  5J500AC02 ,  5J500AF20 ,  5J500AH09 ,  5J500AH19 ,  5J500AH25 ,  5J500AH32 ,  5J500AH43 ,  5J500AK29 ,  5J500AT02 ,  5J500AT04 ,  5J500LV08 ,  5J500NF01