特許
J-GLOBAL ID：200903069727542626
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-305958
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135470
出願日： 1996年10月30日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】【課題】 PTFTとNTFTとを同一基板上に形成する際にマスクを削減し、かつNTFTのみにLDDを形成する。【解決手段】 (A)工程におけるボロンのヘビードーピングと、(D)の工程におけるリンのヘビードーピングにおいて、その条件を選択することにより、(D)に工程において、137と138の導電型が反転しないようにする。こうすることで、マスク数を削減して、かつNTFTにLDD領域131、132を形成することができる。
請求項（抜粋）：
Pチャネル型の薄膜トランジスタとNチャネル型の薄膜トランジスタとが形成されており、P及びNチャネル型の薄膜トランジスタのゲイト電極の側面には活性層に対する遮蔽物が形成されており、(1)Pチャネル型の薄膜トランジスタにおいて、ソース及びドレイン領域の少なくとも一部にはN型を付与する不純物がドーピングされており、かつ前記遮蔽物に対応するソース及びドレイン領域の一部とソース及びドレイン領域の他部とは、N型を付与する不純物の濃度が異なっており、(2)Nチャネル型の薄膜トランジスタにおいて、ソース及びドレイン領域とチャネル領域との間にソース及びドレイン領域よりもN型を付与する不純物の濃度が低い高抵抗領域が形成されていること、を特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 27/08 331
, H01L 21/336
H01L 29/78 616 V
, H01L 27/08 331 E
, H01L 29/78 613 A
, H01L 29/78 616 A
