特許

J-GLOBAL ID：200903069729205821

強誘電体薄膜素子の作製方法

発明者： 大橋 幸司
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 上柳 雅誉 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-091431
公開番号（公開出願番号）：特開2002-289808
出願日： 2001年03月27日
公開日（公表日）： 2002年10月04日
要約：

【要約】【課題】強誘電体薄膜の表面に付着した水分や有機成分を蒸発させ、強誘電体薄膜のショートを抑えて信頼性を向上させた強誘電体薄膜素子の作製方法を提供する。【解決手段】強誘電体薄膜結晶化後、上部電極形成前に熱処理工程を入れる。前記の強誘電体薄膜が、SrBi2Ta2O9、SrBi2Nb2O9のいずれか一方、あるいは両方を成分として含む強誘電体材料の薄膜であれば、150°C以上350°C以下で前記の熱処理工程を行い、PbZrO3とPbTiO3のいずれか一方、あるいは両方を成分として含む強誘電体材料の薄膜であれば、300°C以上500°C以下で前記の熱処理工程を行う。特に好ましいガス雰囲気として、オゾン、酸素、もしくは不活性ガス雰囲気中で熱処理を行う。

請求項（抜粋）：

基板上に下部電極を形成し、前記下部電極上に強誘電体薄膜を形成し、前記強誘電体薄膜上に上部電極を形成する、強誘電体薄膜素子の作製方法において、強誘電体材料の前駆体を成膜して仮焼するまでの処理を1回以上繰り返すことにより強誘電体薄膜を所望の厚さにした後に結晶化させ、その後上部電極を形成する前に強誘電体薄膜の結晶化温度未満の温度での熱処理工程を行うことを特徴とする、強誘電体薄膜素子の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  C01G 35/00 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

C01G 35/00 C ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 C

Fターム (20件)：

4G048AA03 ,  4G048AB02 ,  4G048AB04 ,  4G048AB05 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BH04 ,  5F083FR01 ,  5F083GA27 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33