特許
J-GLOBAL ID：200903069730003507
X線光電子分光分析方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309201
公開番号（公開出願番号）：特開2001-124714
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月11日
要約：
【要約】 (修正有)【解決手段】 本発明は、電子線と単色化X線とを同時に照射する絶縁物又は高抵抗試料のX線光電子分光分析法において、電子線照射条件の変化に対する複数の任意の光電子ピーク間のエネルギー差の変化率が0となる電子線照射条件で光電子スペクトルの本測定を行なう絶縁物又は高抵抗試料のX線光電子分光分析法を提供する。【効果】 XPS測定時の絶縁物又は高抵抗試料の試料表面の帯電状態を定量的に評価することが可能となる。その結果に基づいて、電子線照射条件を系統的に決定するため、測定者の経験と勘に頼ることなく、常に最適な電子線照射条件で、単色化X線による絶縁物又は高抵抗試料の分析を行なうことが可能となった。
請求項（抜粋）：
電子線と単色化X線とを同時に照射する絶縁物又は高抵抗試料のX線光電子分光分析法において、電子線照射条件の変化に対する複数の任意の光電子ピーク間のエネルギー差の変化率が測定誤差の範囲内で0となる電子線照射条件で光電子スペクトルの本測定を行なう絶縁物又は高抵抗試料のX線光電子分光分析法。
Fターム (16件)：
2G001AA01
, 2G001AA03
, 2G001BA07
, 2G001BA08
, 2G001BA09
, 2G001CA03
, 2G001EA01
, 2G001FA12
, 2G001GA01
, 2G001GA09
, 2G001GA11
, 2G001HA01
, 2G001KA12
, 2G001MA05
, 2G001RA05
, 2G001SA02
