特許

J-GLOBAL ID：200903069731862376

半導体製造装置

発明者： 清田 幸弘 ,  松島 勝
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-174611
公開番号（公開出願番号）：特開平9-027456
出願日： 1995年07月11日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【目的】 プロセスの制御性、再現性に優れた半導体製造装置を提供する。【構成】 チャンバ内の半導体基板を加熱し、キャリアガスと反応性ガスを流すことによって、薄膜形成、不純物拡散などを行う半導体製造装置に、チャンバ内の反応性ガスの濃度を常にモニタする機構を具備する。【効果】 チャンバ内の反応ガス濃度が、マスフローコントローラで制御したガス流量比に等しくなってから、プロセスを行うことにより、再現性が改善される。

請求項（抜粋）：

チャンバ内の半導体基板を加熱し、半導体上に薄膜を形成する、あるいは不純物を拡散させる、あるいは酸化する作用のある反応性ガスとキャリアガスを流す半導体製造装置において、チャンバ内のガスをサンプリングして反応性ガスの濃度を常にモニタする機構を具備した半導体製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 D ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/66 Z