特許
J-GLOBAL ID：200903069734460341
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 栄男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331717
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181218
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 熱拡散によってLDD構造を形成し、もって半導体素子の小形化を図ることを目的とする。【構成】 p形シリコン基板2上に、膜厚100、80、20オングストロームのシリコン酸化膜、窒化膜、窒素酸化膜からなるONO膜20を形成してゲート絶縁膜とする。ONO膜20にヒ素を12KeVでイオン注入した後、900°Cで30分間熱処理する。これにより、ONO膜20に注入されたヒ素イオンがp形シリコン基板2に拡散し、低濃度n形不純物拡散層26を形成する。ゲート絶縁膜を薄く形成できるので、素子の小形化が図れる。
請求項（抜粋）：
第一導電型のシリコン基板の表面に、イオン注入されるイオンが透過しにくい性質を有する絶縁膜を形成する絶縁膜形成ステップ、絶縁膜の上に導電膜を形成する導電膜形成ステップ、絶縁膜のうち、上部に導電膜が設けられていない部分に第二導電型のイオンを注入するイオン注入ステップ、絶縁膜に注入された第二導電型のイオンを熱処理によって第一導電型のシリコン基板に拡散して第二導電形の領域を形成する第二導電形領域形成ステップ、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/265
H01L 29/78 301 L
, H01L 21/265 Y
, H01L 29/78 301 P
