特許
J-GLOBAL ID：200903069734685351
薄膜状半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-186891
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077252
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 高い移動度とON/OFF比の要求されるアクティブマトリクス回路と複雑な配線を要する周辺駆動回路とを同一基板上で同一プロセスで歩留りよく製造できるTFTの構造およびその方法を提供する。【構成】 絶縁基板上に薄膜トランジスタ(TFT)を有するアクティブマトリクス回路とその周辺駆動回路をモノリシックに形成する工程において、アクティブマトリクス回路のTFTのゲイト電極はその上面および側面を陽極酸化物によって被覆し、周辺駆動回路のTFTのゲイト電極では、上面にのみ陽極酸化物を設け、側面には実質的に陽極酸化物がない状態であることを特徴とするTFTおよびその作製方法。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に、島状の半導体領域を形成する工程と、前記半導体被膜上にゲイト絶縁膜として機能する絶縁被膜を形成する工程と、前記絶縁被膜上に金属元素を主成分とする被膜を形成する工程と、前記金属被膜に電解液中で電流を通じて、金属被膜の表面に厚さ100nm以上の陽極酸化物層を形成する工程と、前記金属被膜および陽極酸化物を選択的に除去して、ゲイト電極を形成する工程と、前記ゲイト電極を主たるマスクとして自己整合的に不純物元素を導入する工程と、前記工程後、前記ゲイト電極を主たるマスクとしてレーザー光またはそれと同等な強光を照射する工程とを有することを特徴とする薄膜状半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/316
