特許

J-GLOBAL ID：200903069737118482

マスクROMのプログラムパターンの形成方法

発明者： 山田 浩之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-030722
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223751
出願日： 1996年02月19日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 周辺パターンの状況によりメモリセル内のプログラムすべき領域(プログラム領域)の大きさ変動を抑制し、プログラムの誤書き込みを防止する。【解決手段】 周辺のプログラム領域が開口しているか否かに応じてプログラム領域についてのデータを補正し、補正後のデータを用いて該プログラムパターンの形成を行う。プログラム領域がメモリセル10と一致する場合、プログラム領域の変動がより大きいことから、本発明が特に有効である。この場合のデータ補正は、図示のように、パターン幅変動が大きい孤立の残しパターン及び孤立の抜きパターンであるプログラム領域について行うとよい。加えて、他のプログラム領域について補正してもよい。本発明で、パターン幅の変動を相殺するような補正を行えば、プログラム領域の大きさを均一にできる。これにより、プログラム領域についてトランジスタのチャネル領域22に対する重ね幅の必要なマージン確保が容易となり、その結果、プログラムの誤書き込みを防止できる。

請求項（抜粋）：

マスクROMのメモリセルを構成するトランジスタを形成し、その後、イオン注入により特定トランジスタのチャネル領域に選択的に不純物を導入するためのマスクとして、トランジスタのチャネル領域を含む各メモリセルごとのプログラム領域について所定の配置パターンで開口させたプログラムパターンの形成方法であって、上記プログラムパターンの形成に際し、周囲のプログラム領域が開口しているか否かに応じてプログラム領域についてのデータを所定の大きさに補正し、補正後のデータを用いて該プログラムパターンの形成を行うことを特徴とするマスクROMのプログラムパターンの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (4件)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 21/82 B ,  H01L 21/82 D ,  H01L 27/04 A