半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-291078
公開番号（公開出願番号）：特開平8-147973
出願日： 1994年11月25日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：

【要約】【目的】回路構成が簡単でかつ消費電力が小さな半導体装置を提供する。【構成】 MOSトランジスタ3は、擬似GNDライン33の電位がMOSトランジスタ3のしきい値Vth3を越えたときに導通する。カレントミラー回路CM1は、MOSトランジスタ3に流れる電流Iaをα倍した電流Ibを出力する。カレントミラー回路CM2は、カレントミラー回路CM1の出力電流Ibに応じた電流Ibを擬似GNDライン33から接地ライン32に流出させる。基準電位発生回路35を別途設けることなく擬似GNDライン33の電位を一定の値に保持できる。

請求項（抜粋）：

外部接地電位から昇圧された内部接地電位を有する半導体装置であって、電源電位のラインと前記内部接地電位のラインとの間に接続され、所定の動作を行なう内部回路、その入力電極が前記内部接地電位のラインに接続され、その入力電圧がそのしきい値電圧を越えたときに導通する第1のトランジスタ、前記第1のトランジスタに流れる電流をα倍した電流を出力する第1のカレントミラー回路、および前記第1のカレントミラー回路の出力電流に応じた電流を前記内部接地電位のラインから前記外部接地電位のラインに流出させるための第2のカレントミラー回路を備える、半導体装置。

IPC (4件)：

G11C 11/407 , G05F 1/613 310 , G05F 3/24 , G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F , G11C 11/34 335 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-245393
特開平3-041695
特開平4-302463

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