特許
J-GLOBAL ID：200903069740808899
フラッシュメモリ及びマイクロコンピュータ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-171942
公開番号（公開出願番号）：特開平7-029386
出願日： 1993年07月13日
公開日（公表日）： 1995年01月31日
要約：
【要約】【構成】 単一の半導体チップ上に、中央処理装置と、この中央処理装置が処理すべき情報を電気的な消去・書込みによって書換え可能な不揮発性のフラッシュメモリとを備えたマイクロコンピュータに対して、通常の電源電圧端子と書込み用電源電圧端子とを設けるとともに、電源電圧のレベル検出手段と内部昇圧とを内蔵させ、供給された電源電圧のレベルに応じてフラッシュメモリに対する書換えモードを判定し、昇圧電圧と外部高電圧とを切換えてデータの消去、書込みを行なわせるようにした。【効果】 内部昇圧電圧と外部高電圧のいずれでもフラッシュメモリに対するデータの消去、書込みを行なえるたため、実使用時におけるデータの書替えが可能となり、装置の高機能化を図ることができるとともに、携帯用装置では異なる電圧の電池を内蔵させる必要がなく装置の小型化を図ることが可能となる。また、適用システムに応じた書込みが可能であるため、汎用性が高くなるとともに、書込み、消去に要する時間を短縮することが可能となる。
請求項（抜粋）：
コントロールゲートがワード線に結合され、ドレインがデータ線に結合され、ソースがソース線に結合されて、電気的な消去・書込みによって書換え可能な複数個の不揮発性記憶素子と、書込みまたは消去動作時において上記不揮発性記憶素子に印加されるべき通常動作電圧よりもレベルの高い電圧を発生する高電圧発生回路を有する電源回路と、通常動作電圧を外部から供給する第1の電源端子と、書込みまたは消去動作時に使用される通常動作電圧よりも高いレベルの電圧を外部から供給するための第2の電源端子とを備えたフラッシュメモリであって、上記電源回路は、上記第1の電源端子に供給された通常動作電圧が所定のレベル以上にあるか検出する第1のレベル検出手段と、上記第2の電源端子に供給された高レベルの電圧が所定のレベル以上にあるか検出する第2のレベル検出手段と、上記第2の電源端子に供給された高レベルの電圧または上記高電圧発生回路で発生された高電圧のいずれかを選択して上記不揮発性記憶素子に供給するための電圧切換え手段とを備えていることを特徴とするフラッシュメモリ。
IPC (3件)：
G11C 16/06
, G06F 15/78 510
, H01L 27/10 421
G11C 17/00 309 D
, G11C 17/00 510 C
