特許

J-GLOBAL ID：200903069744322869

半導体装置の製造方法および製造装置

発明者： 印部 貴之 ,  横井 直樹
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-386283
公開番号（公開出願番号）：特開2002-190462
出願日： 2000年12月20日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェハプロセスの簡便化、かつ低コスト化が可能になるように改良された半導体装置の製造方法を提供することを主要な目的とする。【解決手段】 洗浄前の半導体ウェハ1の裏面に、洗浄液に対して耐薬品性を有する材料によって構成された膜2を密着させる。半導体ウェハ1の洗浄を行なう。

請求項（抜粋）：

洗浄前の半導体ウェハを準備する工程と、前記半導体ウェハの裏面に、洗浄液に対して耐薬品性を有する材料によって構成された膜を密着させる工程と、前記半導体ウェハの洗浄を行なう工程と、を備えた半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 641 ,  B08B 3/08

FI (2件)：

H01L 21/304 641 ,  B08B 3/08 Z

Fターム (3件)：

3B201AA03 ,  3B201BB92 ,  3B201CC00