特許
J-GLOBAL ID：200903069757981730
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-139584
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335443
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】 表面に大きな段差の状態で研磨を行うと浅いトレンチの広い領域では、その領域の酸化膜が削られ過ぎるという問題が生じる。【解決手段】 シリコン基板1上に下地酸化膜2を介してSiN膜3を形成する。次に、レジストマスク4にて、広い素子分離領域5の素子形成領域6と接する部分とその間の数箇所を開口し、SiN膜2、下地酸化膜3をドライエッチングする。次に、レジストを除去後、広い素子分離領域5に選択的に薄い酸化膜7を形成する。次に、広い素子分離領域5と狭い素子分離領域8とが開口したレジストマスク9を形成し、レジストマスク9を用いて狭い素子分離領域8と広い素子分離領域5のSiN膜2、酸化膜3、シリコン基板1をドライエッチングする。次に、CVD酸化膜10を形成した後、CVD酸化膜10をSiN膜2の表面までCMP法を用いて研磨する。しかる後、SiN膜2を除去し、素子形成領域6のシリコン基板1までシリコン酸化膜3及び10の全面除去を行う。
請求項（抜粋）：
同一半導体基板において、少なくとも第1面積を有する第1素子分離領域と該第1素子分離領域より面積の大きい第2面積を有する第2素子分離領域とが形成された半導体装置において、上記第1素子分離領域は上記半導体基板に形成された一の溝に埋設された絶縁膜から成り、上記第2素子分離領域は上記半導体基板に形成された複数の溝に埋設された絶縁膜と、該溝以外の領域に形成された選択酸化膜とから成ることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/76 L
, H01L 21/76 M
