特許

J-GLOBAL ID：200903069758463791

多層半導体基板及びその製造方法

発明者： 星 英夫
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 荒船 博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068212
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264524
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【目的】 シリコン半導体基板上に薄くて均一な希土類元素の金属酸化物膜を有する多層半導体基板及びその製造方法を提供する。【構成】 エピタキシャル成長装置内に、半導体基板と金属原料を入れ、まず250°C以下の成長温度で該半導体基板上に金属膜を成長させ、その後、該エピタキシャル成長装置内に酸素ガスを導入し、酸素雰囲気中で前記金属膜上に金属酸化物膜を形成する。【効果】 半導体基板上に薄くて均一な金属酸化物膜が形成され、不揮発性メモリーやキャパシター、薄膜超電導デバイス、或いは光変調素子などの作製用基板として好適な優れた基板が得られる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に不活性ガス成分を含まないエピタキシャル成長された金属酸化物膜が形成され、かつその界面には前記金属酸化物の勾配層の厚さが5原子層以下に相当する厚さの酸素の組成勾配層が形成されていることを特徴とする多層半導体基板。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  C30B 29/06 ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/316 S ,  C30B 29/06 B ,  C30B 33/00 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-069977
  
• 特開昭58-061634
  
• 特開昭59-114863