特許

J-GLOBAL ID：200903069759313203

半導体装置の製造方法

発明者： 高谷 秀史
出願人/特許権者： トヨタ自動車株式会社
代理人 (1件)： 恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010628
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209164
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】側面にバンプ電極を有する半導体にあって、バンプ電極の形成精度を向上することができるとともに、大量生産を容易とする製造方法を提供すること。【解決手段】シリコンウェハ15上に溝16をダイシングにより形成し、ICチップ11を区画する。同ウェハ15及び溝16の表面にパッシベーション膜20及び下地電極21を形成する。また、下地電極21上にレジスト23を塗布するとともに、同レジスト23をパターニングする。下地電極21が露出する部分に電解金メッキにてバンプ電極12を形成する。そして、レジスト23及び下地電極21の不要部分を除去する。その後、ウェハ15を裏面からダイシングすることにより各ICチップ11として切り分ける。

請求項（抜粋）：

チップ側面にバンプ電極を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上に互いに対向する壁面を有する凹溝を形成する工程と、同半導体基板の表面から前記凹溝内に至る配線電極を形成する工程と、前記配線電極に対してバンプ電極を形成する工程と、該バンプ電極の形成された半導体基板を前記凹溝において個々のチップに分離する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/301

FI (5件)：

H01L 21/92 604 A ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/92 602 M ,  H01L 21/92 604 B