特許

J-GLOBAL ID：200903069760085508

ヘテロ接合バイポーラトランジスタ

発明者： 杉山 亨 ,  本郷 禎人 ,  野津 哲郎 ,  小原 正生
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-341461
公開番号（公開出願番号）：特開平5-062992
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】npn型HBTに匹敵する高速性能を実現したpnp型HBTを提供することを目的とする。【構成】p型In0.53Ga0.47Asコレクタ層3,n+ 型In0.53Ga0.47Asベース層4およびp型InPエミッタ層5を有するヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、p型In0.53Ga0.47Asコレクタ層3と、n+ 型In0.53Ga0.47Asベース層との間のコレクタ側に、正孔の有効質量を低減するp型In0.53Ga0.47/In0.4 Ga0.6 歪み超格子10が形成されている。

請求項（抜粋）：

p型コレクタ層,n型ベース層およびp型エミッタ層を有し、前記p型エミッタ層のバンドギャップが前記n型ベース層のそれより大きいヘテロ接合バイポーラトランジスタにおいて、前記p型コレクタ層のn型ベース層側に正孔の有効質量を低減する歪み半導体層が形成されていることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205