特許
J-GLOBAL ID：200903069760757638
CMOSイメージセンサの暗電流補正方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
古谷 馨 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-226834
公開番号（公開出願番号）：特開平11-126894
出願日： 1998年08月11日
公開日（公表日）： 1999年05月11日
要約：
【要約】【課題】 CMOS感光半導体素子アレイの応答をサンプリングすることによって形成される電子的サンプルイメージに関する暗電流エラーを最小限に抑える方法を提供する。【解決手段】 感光画素セルのアレイを光イメージにさらし;感光画素セルのアレイ内における各感光画素セルによって蓄積された電荷をサンプリングし;感光画素セルのアレイ内における各暗画素によって蓄積された電荷をサンプリングし;各暗画素毎に、暗画素のサンプルイメージ暗電流から暗電流比を計算し;暗画素の暗電流比から感光画素セルのアレイの各感光画素セルの暗電流を計算し;さらに各感光画素セルのサンプルイメージ電流値から各感光画素セルの計算された暗電流を減ずる方法である。
請求項（抜粋）：
感光画素セルのアレイ内における各感光画素セルの出力応答の光イメージ電子サンプルにおける暗電流エラーを補正する方法であって、該感光画素セルのアレイが複数の点在する暗画素を含み、該方法が:感光画素セルのアレイを光イメージにさらすこと(61);各感光画素セル毎にサンプルイメージ電流値を発生する感光画素セルのアレイ内における各感光画素セルによって蓄積された電荷をサンプリングすること(63);各暗画素毎にサンプルイメージ暗電流値を発生する感光画素セルのアレイ内における各暗画素によって蓄積された電荷をサンプリングすること(65);各暗画素毎に、暗画素のサンプルイメージ暗電流から暗電流比を計算すること(67);暗画素の暗電流比から感光画素セルのアレイの各感光画素セルの暗電流を計算すること(71);さらに各感光画素セルのサンプルイメージ電流値から各感光画素セルの計算された暗電流を減ずること(73)を含む、ことを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 R
