特許

J-GLOBAL ID：200903069765219740

太陽電池の製造方法、及び該方法により製造される太陽電池

発明者： ファート、ペーター ,  ファイカ、カトリン ,  キューン、ラルフ
出願人/特許権者： ウニベルジテート コンスタンツ
代理人 (1件)： 加藤 朝道 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-581352
公開番号（公開出願番号）：特表2003-533029
出願日： 2001年04月27日
公開日（公表日）： 2003年11月05日
要約：

【要約】【課題】 隣接するp-型伝導性領域とn-型伝導性領域との間の短絡形成を阻止し、それも当該各領域間を絶縁するための付加的な処理ステップを加えることなしにこれを行なうことが可能な結晶シリコン製太陽電池の製造方法、及び該方法により製造される太陽電池。【解決手段】 結晶シリコン製太陽電池の製造方法において、p型伝導性不純物ドープ層(3)とn型伝導性不純物ドープ層(4)を同時に形成することにより、隣接するp+n+-接合部間に電気的絶縁が形成される。

請求項（抜粋）：

p型伝導性不純物ドープ層(3)とn型伝導性不純物ドープ層(4)を同時に形成することにより、隣接するp+n+-接合部間の電気的絶縁が形成されること を特徴とする結晶シリコン製太陽電池の製造方法。

Fターム (6件)：

5F051AA02 ,  5F051BA14 ,  5F051CB20 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051FA13