特許

J-GLOBAL ID：200903069765764942

アモルファスシリコンの成膜装置

発明者： 高野 暁己 ,  竹内 良昭 ,  村田 正義 ,  宇田 和孝 ,  西田 聖一 ,  森田 章二 ,  吉田 博久
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-324173
公開番号（公開出願番号）：特開平10-102261
出願日： 1996年12月04日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【目的】 高品質かつ大面積のアモルファスシリコン薄膜を高速に成膜できる装置を提供する。【構成】 チャンバ(12)内に配置された基板(14)上にプラズマを発生させ、このプラズマ領域にアモルファスシリコンの原料ガスを導入して基板(14)上にアモルファスシリコンを成膜する方法において、ソレノイドコイル(100a〜d)により、プラズマを発生させるために印加される電界と直交する平面内を一定の角速度で回転する磁界を印加し、かつ基板(14)近傍にメッシュ状のヒータ(17)を設置してプラズマを加熱することを特徴とするアモルファスシリコンの成膜装置。

請求項（抜粋）：

チャンバと、このチャンバ内に配置された基板を支持する基板ホルダと、チャンバ内で基板ホルダに対向して配置された高周波電極とを具備し、基板上に発生させたプラズマ領域に原料ガスを導入してプラズマCVDにより基板上にアモルファスシリコンを成膜する装置において、基板近傍にメッシュ状のヒーターを設置してプラズマを加熱することを特徴とするアモルファスシリコンの成膜装置。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  C01B 33/02 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

C23C 16/50 ,  C01B 33/02 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 V

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特公昭63-019210
  
• 特開平1-162769
  
• プラズマCVD法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-113336   出願人：三菱重工業株式会社