特許

J-GLOBAL ID：200903069767594106

成膜方法及び成膜装置

発明者： 山口 裕人 ,  小池 淳 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 西山 恵三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202225
公開番号（公開出願番号）：特開2002-020861
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月23日
要約：

【要約】【課題】 表面に深い溝が形成されている基体に、高ボトムカバレッジ率で堆積膜を形成し、被成膜基体の温度上昇を抑え、基体近傍の引き込み電解の分布を均一にする。【解決手段】 イオン化した粒子を基体に入射させて堆積膜を形成する成膜方法において、基体7の裏面側に引き込み電極10を設け、この引き込み電極10に、接地電位に対して負極性の周期的に変動する電圧を印加しながら成膜するとともに、基体10の周囲に補助電極23を設けたり、引き込み電極10に延在部30をもたせる。

請求項（抜粋）：

イオン化した粒子を基体に入射させて堆積膜を形成する成膜方法において、前記基体の裏面側に引き込み電極を、該基体の周囲に補助電極を設け、前記引き込み電極に接地電位に対して負極性の周期的に変化する電圧を印加し、前記補助電極には前記引き込み電極と同様の接地電位に対して負極性の周期的に変化する電圧または負極性の直流の電圧を印加しながら成膜を行うことを特徴とする成膜方法。

Fターム (6件)：

4K029BA03 ,  4K029BD01 ,  4K029BD12 ,  4K029CA03 ,  4K029DD04 ,  4K029EA09