特許

J-GLOBAL ID：200903069775723209

保護膜およびその形成方法

発明者： 宮井 清一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-047229
公開番号（公開出願番号）：特開平11-245327
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月14日
要約：

【要約】【課題】 欠陥が少なく、高い防湿性を有し、しかも膜厚が小さい保護膜およびその形成方法を提供する。【解決手段】 PET膜1上に、RF反応性スパッタリング法によりSiO2膜2を形成する。SiO2 膜2上にプラズマCVD法により、SiO2 膜2におけるクラックやピンホールあるいは結晶粒界といった欠陥を埋め込むようにして、ダイヤモンド状炭素(ダイヤモンドライクカーボン、DLC)膜3を形成する。

請求項（抜粋）：

基体上に、少なくとも防湿性を有する無機物からなる少なくとも1層の膜を有する保護膜において、上記少なくとも1層の膜上にダイヤモンド状炭素膜が設けられていることを特徴とする保護膜。