特許

J-GLOBAL ID：200903069776542577

発光素子

発明者： 小池 正好
出願人/特許権者： イーストマン・コダックジャパン株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-195687
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045645
出願日： 1992年07月22日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 P型半導体とN型半導体の接合部を有し、接合面に順方向の電圧を印加することにより接合面を発光させる発光素子において、電流の増加に対する光量の増加率を一定にすることができ、各種機器に使用した場合光量の制御がし易い発光素子を提供することを目的とする。【構成】 N型半導体1にリンの混晶比の異なった内層部と表層部を形成し、選択拡散膜5を用いて所定領域に亜鉛を拡散し、P型半導体を形成して、禁制帯幅が内層部のN型半導体2aとP型半導体2bより大きいN型半導体1aとP型半導体1bを形成し、前記P型半導体2の上面に正電極3と、N型半導体1の裏面に負電極4を設ける。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基盤と、不純物拡散によって前記基盤の一部に形成された第2導電型の拡散層と、を含み、前記基盤および前記拡散層の表面に形成された電極間に順方向の電圧を印加して前記基盤と前記拡散層の接合面において発光させる発光素子において、前記基盤および前記拡散層は、三元系以上の元素による混晶から構成され、前記基盤および前記拡散層は、その表面部に各本体とは異なった混晶比を有する一層以上の表層部を有し、少なくとも前記表層部の禁制帯幅の値が各本体の禁制帯幅の値より大きく設定され、発光する前記接合面は、前記表層部より深いことを特徴とする発光素子。