特許
J-GLOBAL ID：200903069783848754
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-220592
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058339
出願日： 1993年08月12日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 特性および信頼性の優れた薄膜トランジスタ(TFT)を提供する。【構成】 ニッケル等の結晶化を助長させる金属元素を添加することによって、横方向に結晶成長した珪素膜において、結晶粒界をゲイト電極と並行に、かつ、ゲイト電極のほぼ中央に配置することによって、もっとも、電界ストレスの大きなドレインとチャネル形成領域の境界付近には該粒界が存在しないようにしたTFT。ドレインとチャネル形成領域の境界付近にはニッケル等の金属元素が少ないため、しきい値電圧が小さく、また、ゲイト電極に逆電圧を印加したときのリーク電流も小さい。
請求項（抜粋）：
島状の珪素膜と、その少なくとも一部を覆うゲイト絶縁膜と、該ゲイト絶縁膜上に形成されたゲイト電極とを有する薄膜トランジスタにおいて、該島状の珪素膜は、結晶化を助長する金属元素を有する結晶性珪素膜であり、チャネル形成領域を有し、該チャネル形成領域には前記結晶化を助長する金属元素濃度の高い粒界が、キャリヤの流れと垂直な方向に存在し、該チャネル形成領域は前記ゲイト電極と概略同一の形状を有することを特長とする。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
