特許

J-GLOBAL ID：200903069785086258

電界効果型トランジスタおよびその製造方法

発明者： 飯島 竜太
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 奥田 誠司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-263143
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103802
出願日： 2002年09月09日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：

【課題】高密度に集積化が可能であり、かつ、特性のばらつきの少ない電荷効果型トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】電界効果型トランジスタ101は、第1の電極7が設けられた基板2と、基板上に設けられた絶縁層6と、絶縁層6の表面から基板2側へ延び、少なくとも一部が第1の電極7に達するように設けられたナノホール8と、第1の電極7と電気的に接続するよう、ナノホール8内に設けられており、半導体特性を有するカーボンナノチューブ14と、ナノホール内に設けられたゲート電極9と、ナノホール内においてカーボンナノチューブ14とゲート電極9とに挟まれたゲート絶縁層12とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1の電極が設けられた基板と、 前記基板上に設けられた絶縁層と、 前記絶縁層の表面から前記基板側へ延び、少なくとも一部が前記第1の電極に達するように設けられたナノホールと、 前記第1の電極と電気的に接続するよう、前記ナノホール内に設けられており、半導体特性を有するカーボンナノチューブと、 前記ナノホール内に設けられたゲート電極と、 前記ナノホール内において前記カーボンナノチューブと前記ゲート電極とに挟まれたゲート絶縁層と、 を備えた電界効果型トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L29/786 ,  H01L29/06

FI (3件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/78 626A

Fターム (26件)：

5F110AA04 ,  5F110BB01 ,  5F110CC09 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110HJ12 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK04 ,  5F110HK09 ,  5F110HK21 ,  5F110NN02 ,  5F110NN22 ,  5F110NN38 ,  5F110QQ30