特許
J-GLOBAL ID：200903069785349674
レーザーダイオードおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 武彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-336195
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078784
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 安定した自己整列構造を有し、抵抗性接触が3次元的な接触であり、優れた熱発散能力を持つ改善された構造のレーザーダイオードを得る。【構成】 次のようにしてレーザーダイオードを製造する。まず、活性層を含んだ多層のエピタキシャル層を半導体基板100上に形成する。次に、前記多層のエピタキシャル層の最上面に四角形のリッジを形成する。前記エピタキシャル層上に所定の厚さのパシベーション層107を蒸着する。前記パシベーション層上にフォトレジスト108を塗布する。前記フォトレジストに対して、リッジ最上面の垂直方向で所定の深さ露光する。前記フォトレジストの露光した部分を除去する。露出したパシベーション層を除去する。前記リッジの両側に残留するフォトレジストを除去する。前記構造の最上面に電流注入層109を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に活性層を有するリッジ型のレーザーダイオードを製造する方法において、活性層を含んだ多層のエピタキシャル層を半導体基板上に形成する工程と、前記多層のエピタキシャル層の最上面に四角形のリッジを形成する工程と、前記リッジを有する多層のエピタキシャル層上に所定の厚さのパシベーション層を蒸着する工程と、前記パシベーション層上にフォトレジストを塗布する工程と、前記リッジ最上面に重畳されるフォトレジスト全体又は前記リッジ最上面に重畳されるフォトレジスト全体と、前記リッジ壁面のフォトレジストの上部とを、リッジ最上面に対して垂直の方向へ所定の深さ露光する工程と、前記フォトレジストの露光された部分を除去する工程と、前記露出されたパシベーション層を除去する工程と、前記リッジの両側に残留するフォトレジストを除去する工程と、前記構造の最上面に電流注入層を形成する工程と、を含むレーザーダイオードの製造方法。
引用特許：
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