特許
J-GLOBAL ID：200903069785754943
素子転写方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
角田 芳末
, 磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-330572
公開番号（公開出願番号）：特開2006-140398
出願日： 2004年11月15日
公開日（公表日）： 2006年06月01日
要約：
【課題】 転写に際して樹脂による貼り付けを行う必要がなく、素子転写を容易に行うことが可能な素子転写方法を提供する。【解決手段】 素子形成ウエハ13のサファイア基板14上に形成されたLED素子20を転写基板11に転写する素子転写方法である。転写基板11上に磁性金属パターン12を形成して帯磁させるとともに、サファイア基板14上に形成されたLED素子20のPバンプ電極22上に磁性体薄膜(Ni薄膜23)を形成し、転写基板11上の磁性金属パターン12とLED素子20に形成されたNi薄膜23間の磁気的結合力によりLED素子20を転写基板11に保持させ、この状態でサファイア基板14を剥離してLED素子20を転写基板11に転写する。次いで、転写基板11上の磁性金属パターン12を選択的に消磁し、磁気的結合力を選択的に解除して該当箇所のLED素子20を選択的に取り出す。【選択図】 図8
請求項（抜粋）：
第1基板上に形成された素子を第2基板に転写する素子転写方法において、
上記第2基板上に磁性金属パターンを形成して帯磁させるとともに、上記第1基板上に形成された素子の電極の少なくとも一部に磁性体薄膜を形成し、
上記第2基板上の磁性金属パターンと上記素子に形成された磁性体薄膜間の磁気的結合力により上記素子を第2基板に保持させ、この状態で第1基板を剥離して素子を第2基板に転写することを特徴とする素子転写方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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