バックバイアス電圧発生装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-145809
公開番号（公開出願番号）：特開平5-342868
出願日： 1992年06月05日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【構成】リングオシレータ1の出力信号を用いてチャージポンプ回路2を動作させる構成のバックバイアス電圧発生回路において、リングオシレータ1の発振周波数が半導体基板の電位VSBに応じて、予め定められた2つの値間で切換えるために、基板電位検知回路3の出力信号BBEによって制御されるトランジスタQ3がリングオシレータ1に接続される。【効果】半導体基板の電位VSBが従来よりも高精度で所望の電位に制御される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の電位を所望の電位に保持するためのバックバイアス電圧発生装置であって、出力周波数可変の発振手段と、前記発振手段の出力信号に応答して、前記半導体基板に、前記出力信号の周波数に応じた量の電荷を供給する電荷供給手段と、前記半導体基板の電位が前記所望の電位をこえたことを検知する手段と、前記検知手段の検知出力に応答して、前記発振手段の出力周波数を変化させる周波数制御手段とを備えた、バックバイアス電圧発生装置。

IPC (4件)：

G11C 11/407 , H01L 27/04 , H02M 3/07 , H03K 19/094

FI (2件)：

G11C 11/34 354 F , H03K 19/094 D

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