特許

J-GLOBAL ID：200903069794536142

配線基板の形成方法

発明者： 奥平 弘明 ,  村山 伸康 ,  富沢 明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 秋本 正実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-053966
公開番号（公開出願番号）：特開平6-264284
出願日： 1993年03月15日
公開日（公表日）： 1994年09月20日
要約：

【要約】【目的】 1次ニッケルめっきの後に熱処理を行い、その後に2次ニッケルめっきを行う方法において、2次ニッケルめっきに無電解ニッケル-リンめっきを用い、リン含有量とめっき膜厚を規定することにより、はんだ等のロウ付けにおける接合強度、ぬれ性の低下のない配線基板の形成方法を提供すること。【構成】 セラミック配線基板上に形成されたタングステンまたはモリブデンから成る配線パターン上と、接続パッド上に無電解ニッケル-ボロンめっき膜を形成し、熱処理を行った後、ニッケル-リンめっき膜を形成して構成した。

請求項（抜粋）：

セラミック配線基板上に形成されたタングステンまたはモリブデンから成る配線パターン上と、接続パッド上に無電解ニッケル-ボロンめっき膜を形成し、熱処理を行った後、ニッケル-リンめっき膜を形成したことを特徴とする配線基板の形成方法。

IPC (3件)：

C25D 5/10 ,  C04B 41/90 ,  C25D 7/00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭59-092598
  
• 特開昭61-104085
  
• 特開昭60-197894
  
• 特開昭55-128571
  
• 特開平3-236477