特許
J-GLOBAL ID：200903069796724159
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-015551
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211431
出願日： 1992年01月30日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】半導体集積回路に関し、出力バッファによるノイズの低減を目的とする。【構成】入力バッファと、この入力バッファと相互に近接して配置され出力段に出力バッファトランジスタを備える出力バッファと、入力バッファの入力信号に規定される信号を出力バッファに伝達する制御ラインと、出力バッファに配され制御ラインの信号に従って出力バッファトランジスタにおける信号変化時のピーク電流を制限する電流制限手段とを備えるように構成する。
請求項（抜粋）：
入力バッファ(1)と、出力バッファトランジスタ(21)を備える出力バッファ(2)と、前記入力バッファ(1)の入力信号に規定される信号を前記出力バッファ(2)に伝達する制御ライン(3)と、前記出力バッファ(2)に配され、前記制御ライン(3)の信号に従って前記出力バッファトランジスタ(21)における信号変化時のピーク電流を制限する電流制限手段(22)とを備えることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H03K 19/0175
, H03K 19/003
