スイッチ回路

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大菅義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-279451
公開番号（公開出願番号）：特開2002-165439
出願日： 2001年09月14日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】少なくとも大電流領域におけるスイッチング素子のトータル損失を低減させて、その小型化を可能にしたスイッチ回路を提供する。【解決手段】電流をオン、オフ制御するためのスイッチング手段14が、互いに損失特性の異なる2つのスイッチング素子であるIGBT14aとFET14bとを並列接続した構成を有する。スイッチング損失はIGBT14aよりもFET14bの方が小さく、定常損失はIGBT14aの方がFET14bよりも小さい。スイッチング手段14のターンオン時には、IGBT14aのオンタイミングをFET14bのオンタイミングよりも遅くし、一方、スイッチング手段14のターンオフ時には、FET14bのオフタイミングをIGBT14aのオフタイミングよりも遅くすることで、スイッチング損失をFET14bの方に負担させ、定常損失をIGBT14aの方に負担させる。

請求項（抜粋）：

電力用半導体スイッチング素子からなるスイッチング手段を備え、該スイッチング手段のオン、オフにより電流のオン、オフ制御を行うスイッチ回路において、前記スイッチング手段が、バイポーラ型スイッチング素子とモノポーラ型スイッチング素子とを並列接続した構成を有し、前記スイッチング手段のターンオン時には、前記バイポーラ型スイッチング素子のオンタイミングを前記モノポーラ型スイッチング素子のオンタイミングよりも遅くし、前記スイッチング手段のターンオフ時には、前記モノポーラ型スイッチング素子のオフタイミングを前記バイポーラ型スイッチング素子のオフタイミングよりも遅くする、ことを特徴とするスイッチ回路。

IPC (2件)：

H02M 3/155 , H05B 41/282

FI (5件)：

H02M 3/155 H , H02M 3/155 F , H02M 3/155 S , H05B 41/29 B , H05B 41/29 C

Fターム (20件)：

3K072AC20 , 3K072BA03 , 3K072CA16 , 3K072CB04 , 3K072CB05 , 3K072GA01 , 3K072GA02 , 3K072GA10 , 3K072GB03 , 3K072HB03 , 5H730AA10 , 5H730AA14 , 5H730AA15 , 5H730AA16 , 5H730BB14 , 5H730BB57 , 5H730DD03 , 5H730DD04 , 5H730DD32 , 5H730FG01

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