特許
J-GLOBAL ID：200903069801822679
保護回路付きイメージセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-219903
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074885
出願日： 1993年09月03日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 実装面積を増加させずに内部の素子を電気的かつ機械的に保護する保護回路付き半導体装置を提供する。【構成】 ボンディングパッド上に形成されたバンプ41〜56を介して、第1の半導体基板上の転送電極群3、第1MOSトランジスタTR1または第2MOSトランジスタTR2のゲート電極に保護回路が接続されている。保護回路は、これらの転送電極群3や第1MOSトランジスタTR1または第2MOSトランジスタTR2のゲート電極に印加される電圧をゲート電極下の酸化膜が破壊しない程度に制限する構成となっている。保護回路は、ダイオードから構成されるリミッタであり、各ダイオードが逆バイアスとなるように、ボンディングパッド16,17に正負の固定電圧を印加しておき、ダイオードの固定電圧が印加されていない方をゲート電極に接続する。
請求項（抜粋）：
第1の半導体基板上に絶縁膜を介して形成された電極に正負の駆動電圧を印加することにより、前記絶縁膜下の前記半導体基板表層部のポテンシャルを変化させる電荷結合素子と、前記電荷結合素子に貼り付けられ、前記電極に印加される駆動電圧のレベルを前記絶縁膜の絶縁耐圧を越えない程度に制限する保護回路を含む第2の半導体基板と、を備えることを特徴とする保護回路付きイメージセンサ。
IPC (2件)：
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