特許

J-GLOBAL ID：200903069805185720

セラミックス配線基板の製造方法

発明者： 田中 一成 ,  大友 省三 ,  宇野 孝一 ,  中田 好和
出願人/特許権者： 株式会社住友金属セラミックス ,  住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-264477
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122839
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【構成】 フィルム状基材11上にポジ型フォトレジスト層12を形成し、露光処理及び現像処理を施してポジ型フォトレジスト層12に配線パターン状の溝部15を形成し、全面露光処理を施し、溝部15に導体ペースト16を充填した後乾燥させ、その後ポジ型フォトレジスト層12に現像処理を施して消失させる。次に、フィルム状基材11上に形成された配線パターン状の導体ペースト乾燥体16’を、セラミックスグリーンシート18に加圧転写し、フィルム状基材11を剥離し、その後セラミックスグリーンシート18を焼成するセラミックス配線基板の製造方法。【効果】 表面が平坦になるように配線パターンがその表面に形成され、高精度で微細な配線パターンを有し、デラミネーション等の欠陥のないセラミックス配線基板を安価に製造することができ、電子部品との接続が容易になる。

請求項（抜粋）：

フィルム状基材の表面にポジ型フォトレジスト層を形成するフォトレジスト層形成工程と、前記ポジ型フォトレジスト層に露光処理及び現像処理を施すことにより、前記ポジ型フォトレジスト層に配線パターン状の溝部を形成する溝部形成工程と、前記溝部が形成された前記ポジ型フォトレジスト層に全面露光処理を施す全面露光処理工程と、前記溝部に導体ペーストを充填する導体ペースト充填工程と、前記溝部に充填された前記導体ペーストを乾燥させる乾燥工程と、前記ポジ型フォトレジスト層に現像処理を施して前記ポジ型フォトレジスト層を消失させるフォトレジスト層消失工程と、前記工程により前記フィルム状基材上に形成された配線パターン状の導体ペースト乾燥体を、セラミックスグリーンシートに加圧転写し、前記フィルム状基材を剥離するパターン転写工程と、前記導体ペースト乾燥体が転写されたセラミックスグリーンシートを焼成する焼成工程と、を含むことを特徴とするセラミックス配線基板の製造方法。

IPC (2件)：

H05K 3/20 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 23/12 D ,  H01L 23/12 Q

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-260389
  
• 特開昭63-110620
  
• 特開昭63-137497
  
• 特開平2-240996