特許

J-GLOBAL ID：200903069811177488

スピロ[2,5-シクロヘキサジエノン]ベンゾフラノン誘導体およびその製造中間体

発明者： 加藤 正 ,  大森 修
出願人/特許権者： 財団法人相模中央化学研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-211537
公開番号（公開出願番号）：特開2001-039968
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2001年02月13日
要約：

【要約】【課題】ガラニンレセプターサブタイプGalR1を低濃度で顕著に阻害する作用を示すSch-202596の有用な製造中間体を提供する。【解決手段】一般式(1)【化1】(式中R1は、低級アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ホルミル基、ヒドロキシメチル基、または水酸基が保護されたヒドロキシメチル基を表し、R2は水素原子または低級アルキル基を表し、R3は水素原子または水酸基の保護基を表し、R4およびR5は水素原子またはハロゲン原子を表し、R6は水素原子または低級アルキル基を表す。)で示されるスピロ[2,5-シクロヘキサジエノン]ベンゾフラノン誘導体で示される置換ジフェニルメタン誘導体および、その製造中間体とその製造方法。

請求項（抜粋）：

一般式(1)【化1】(式中R1は、低級アルコキシカルボニル基、カルボキシル基、ホルミル基、ヒドロキシメチル基、または水酸基が保護されたヒドロキシメチル基を表し、R2は水素原子または低級アルキル基を表し、R3は水素原子または水酸基の保護基を表し、R4およびR5は水素原子またはハロゲン原子を表し、R6は水素原子または低級アルキル基を表す。)で示されるスピロ[2,5-シクロヘキサジエノン]ベンゾフラノン誘導体。

IPC (3件)：

C07D307/94 ,  A61P 3/04 ,  A61K 31/343

FI (3件)：

C07D307/94 ,  A61P 3/04 ,  A61K 31/343

Fターム (4件)：

4C037WA02 ,  4C086AA04 ,  4C086BA06 ,  4C086ZA70