特許

J-GLOBAL ID：200903069825976804

プラズマ処理方法および処理装置

発明者： 中川 聡 ,  名村 高
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-288888
公開番号（公開出願番号）：特開平5-129094
出願日： 1991年11月05日
公開日（公表日）： 1993年05月25日
要約：

【要約】【目的】 磁界によるプラズマの偏りをなくし均一かつ高効率かつ被処理基板のチャージアップ損傷を小さく抑えたプラズマ処理を行う。【構成】 第1の高周波電源6から高周波電力を印加される上部電極4が磁界に直交する面をすべてプラズマに曝されており、磁界によりドリフトするプラズマ中のイオンや電子の経路に終端が無い。さらに、第2の高周波電源13から高周波電力を印加される下部電極10により被処理基板9に入射するイオンのエネルギーを制御する。

請求項（抜粋）：

接地した処理室内の制御用平板電極に被処理基板を設置し、前記被処理基板に対向配置した平板型の高周波印加電極に高周波電力を印加し、前記平板型の高周波印加電極の平板面に平行な磁界を形成するプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H05H 1/46 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/302

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭56-045761
  
• 特開昭61-199078
  
• 特開昭63-155546
  
• 特開昭63-102321