特許

J-GLOBAL ID：200903069828428565

トンネル注入半導体装置

発明者： ゲルハルト ファーソル ,  本久 順一 ,  榊 裕之
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 阿部 龍吉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-311854
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163928
出願日： 1992年11月20日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：

【要約】【目的】 共鳴トンネル注入を利用してエネルギー分布をシャープにし、高速動作が実現でき、大電流が可能なトンネル注入半導体装置を提供する【構成】 基板1上にドナー不純物をドープした層4を有する変調ドープ構造の半導体層2〜5を形成し、しかる後当該変調ドープ構造の側面を所定の角度範囲でへき開またはエッチングして端面6を露出し、該端面6にトンネル構造の半導体層7〜10を形成してトンネル構造の半導体層から変調ドープ構造の半導体層2〜5にキャリヤをトンネル注入する。この構成により、変調ドープ構造の二次元電子チャンネルにエネルギー分布の狭い大きな電流を注入することができる。

請求項（抜粋）：

基板上に1つまたは複数の2次元または1次元または結合0次元の電子または正孔チャンネルを有する半導体層を形成し、しかる後当該チャンネルの側面を所定の角度範囲でへき開またはエッチングして端面を露出し、該端面に1つまたは複数のトンネル構造の半導体層を形成してトンネル構造の半導体層からチャンネルにキャリヤをトンネル注入するように構成したことを特徴とするトンネル注入半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-132864
  
• 特開平3-066173
  
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-225663   出願人：三菱電機株式会社